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低导通损耗200250VMOSFET英飞凌万芳

发布时间:2020-02-14 10:53:11 阅读: 来源:脚踏阀厂家

低导通损耗200/250V MOSFET (英飞凌)

英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件,进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数(FOM),OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。

对于应用二极管整流的48V开关电源而言,工程师们现在有了全新的选择,从而使得整体效率大于95%。这比当前典型的效率水平高出两个百分点,从功率损耗的角度看,也就是发热量降低了30%,这满足了电信市场对更高能源效率的需求。

据称,相对于其他同类产品,OptiMOS 200V和250V系列器件的通态电阻RDS(on)降低了50%,使大电流应用能够实现最低的导通损耗。另外,业界最低的栅极电荷Qg (比同类产品低35%)有助于实现最低开关损耗和高速开关。实际应用比如通信电源的DC/DC变换。此外,该OptiMOS 200/250V 可以减少并联器件的数目,从而降低系统成本。同时,由于具备较低的通态电阻,可确保使用较小尺寸的散热器;而优化的开关特性,可确保实现简化的快速设计流程。

OptiMOS 200V和250V系列具备出色的特性,可使以往需要较大D2PAK封装(9mmx10mmx4.5mm)的应用转换到使用纤薄的SuperSO8封装(5mmx6mmx1mm)上来。因此,功率半导体器件占板空间可以降低90%以上。也就是说,系统的功率密度得以大幅度提高。此外,采用SuperSO8等无引脚封装,还可实现理想的开关特性,更高的效率以及 EMI水平。

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